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論文

低エネルギー(5$$sim$$200eV) SiF$$_{3+}$$、SiF$$^{+}$$イオンのCu(100)表面における散乱

山本 博之; 馬場 祐治; 佐々木 貞吉

表面科学, 17(8), p.436 - 439, 1996/00

https://doi.org/10.1380/jsssj.17.436

試作した低エネルギーイオン照射装置を用い、5~200eVのSiF$$_{3+}$$、SiF$$^{+}$$分子イオンをCu(100)表面に照射し、散乱した各イオン(散乱角77°)の質量およびエネルギー分布を同時に測定することによって、散乱過程および照射された分子イオンの散乱に伴う解離のしきい値を明らかにした。この結果、SiF$$_{3+}$$、SiF$$^{+}$$分子イオンの散乱に伴う解離のしきい値はそれぞれ30$$pm$$2eV、40$$pm$$2eVであった。これらの値についてimpulsive collision modelを用いた解析を行った結果、分子イオンの解離が振動励起を介していることが示唆された。

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